桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置

桌面型高真空多源晶圓級半導體蒸鍍裝置

半導體相關試樣制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圓級 · 桌面型

高真空 10?? Pa · 晶圓 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圓級均勻性 ±1 %
半導體試樣 · 薄膜蒸鍍 · 電極制作 · 高真空退火

一、產(chǎn)品定位

• 半導體試樣制作：薄膜蒸鍍、電極制作、高真空退火、晶圓級均勻性
• 高真空多源：10?? Pa，4 源同時蒸鍍，晶圓級均勻性 ±1 %
• 桌面型：底面積 0.8 m2，放通風櫥，無需地基
• VE-2040：晶圓 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型

二、核心技術參數(shù)（VE-2040）

三、功能亮點

1. 10?? Pa 高真空：渦輪 + 干泵，無油污染，Class 100 兼容
2. 8" 晶圓級：晶圓 8"，均勻性 ±1 %，Mapping 驗證
3. 4 源同時蒸鍍：Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，多層膜一次完成
4. ±1 % 均勻性：晶圓級 Mapping，均勻性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
5. 桌面型 0.8 m2：放通風櫥，無需地基，實驗室即用
6. 云端遠程：手機 APP 遠程監(jiān)控，真空度、溫度實時查看

四、典型應用工藝

半導體試樣高真空蒸鍍┌─ 高真空腔體 ─┐│                 │晶圓← VE-2040 ← 4 源同時蒸鍍│                 │└─ 回大氣 ──────┘

• 晶圓 8"，Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，膜厚 5 nm，均勻性 ±1 %
• 高真空 10?? Pa，無油污染，Class 100 兼容

五、實測數(shù)據(jù)（半導體驗證）

• 晶圓：8" SiO? 5 nm
• VE-2040 高真空版：
• 真空度 1×10?? Pa（24 h）
• 均勻性 ±0.8 %（Mapping 49 點）
• 膜厚 5 nm，重復性 ±0.1 nm（10 次）

半導體相關試樣制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圓級 · 桌面型

高真空 10?? Pa · 晶圓 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圓級均勻性 ±1 %
半導體試樣 · 薄膜蒸鍍 · 電極制作 · 高真空退火

一、產(chǎn)品定位

• 半導體試樣制作：薄膜蒸鍍、電極制作、高真空退火、晶圓級均勻性
• 高真空多源：10?? Pa，4 源同時蒸鍍，晶圓級均勻性 ±1 %
• 桌面型：底面積 0.8 m2，放通風櫥，無需地基
• VE-2040：晶圓 8"，高真空 10?? Pa，多源 4 源，桌面型

二、核心技術參數(shù)（VE-2040）

三、功能亮點

1. 10?? Pa 高真空：渦輪 + 干泵，無油污染，Class 100 兼容
2. 8" 晶圓級：晶圓 8"，均勻性 ±1 %，Mapping 驗證
3. 4 源同時蒸鍍：Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，多層膜一次完成
4. ±1 % 均勻性：晶圓級 Mapping，均勻性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
5. 桌面型 0.8 m2：放通風櫥，無需地基，實驗室即用
6. 云端遠程：手機 APP 遠程監(jiān)控，真空度、溫度實時查看

四、典型應用工藝

半導體試樣高真空蒸鍍┌─ 高真空腔體 ─┐│                 │晶圓← VE-2040 ← 4 源同時蒸鍍│                 │└─ 回大氣 ──────┘

• 晶圓 8"，Al/Au/Ti/Ni 同時蒸鍍，膜厚 5 nm，均勻性 ±1 %
• 高真空 10?? Pa，無油污染，Class 100 兼容

五、實測數(shù)據(jù)（半導體驗證）

• 晶圓：8" SiO? 5 nm
• VE-2040 高真空版：
• 真空度 1×10?? Pa（24 h）
• 均勻性 ±0.8 %（Mapping 49 點）
• 膜厚 5 nm，重復性 ±0.1 nm（10 次）